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PMZB350UPE
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Nexperia公司器件型號:PMZB350UPE,315

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離

功能總體描述:MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN

所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管

系列:-

零件狀態(tài):在售

FET 類型:P 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源極電壓(Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A(Ta)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):1.9nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):127pF @ 10V

Vgs(最大值):±8V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):360mW(Ta),3.125W(Tc)

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):450 毫歐 @ 300mA,4.5V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

Nexperia公司標準封裝:3-DFN1006B(0.6x1)

封裝形式:3-XFDFN

PMZB350UPE的標準包裝數(shù)量(SPQ):10000 PCS


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