- 產品型號:PQMB11Z
- 制 造 商:Nexperia(安世半導體)
- 出廠封裝:DFN1010B-6
- 功能類別:雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置-晶體管
- 功能描述:TRANS PNP/PNP RET 6DFN
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Nexperia公司器件型號:PQMB11Z
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:TRANS PNP/PNP RET 6DFN
所屬類別:雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置-晶體管
系列:汽車級,AEC-Q101
零件狀態(tài):在售
晶體管類型:2 PNP 預偏壓(雙)
電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值):1μA
頻率 - 躍遷:180MHz
功率 - 最大值:230mW
安裝類型:表面貼裝
封裝形式:6-XFDFN
Nexperia公司標準封裝:DFN1010B-6
PQMB11Z的標準包裝數(shù)量(SPQ):5000 PCS