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PSMN3R8-100BS
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Nexperia公司器件型號:PSMN3R8-100BS,118

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離

功能總體描述:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管

系列:-

零件狀態(tài):在售

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源極電壓(Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值):170nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9900pF @ 50V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):306W(Tc)

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 25A,10V

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:D2PAK

封裝形式:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

PSMN3R8-100BS的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):800 PCS


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