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ON安森美半導體完整型號：2SK3666-4-TB-E

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 30V 10MA 200MW CP

系列：-

FET 類型：N 溝道

電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：30V

漏源極電壓 (Vdss)：30V

不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：2.5mA @ 10V

漏極電流 (Id) - 最大值：10mA

不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）：180mV @ 1μA

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4pF @ 10V

電阻 - RDS（開）：200 歐姆

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商器件封裝：3-CP

功率 - 最大值：200mW