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ECH8620-TL-E
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): ECH8620-TL-E
制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
系列: -
FET 類型: N 和 P 溝道
FET 功能: 邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 2A,1.5A
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值): 260 毫歐 @ 1A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 13.8nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 650pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應(yīng)商器件封裝: 8-ECH


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