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MCH6601-TL-E
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):MCH6601-TL-E

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6

系列:-

FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):200mA

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):10.4 歐姆 @ 50mA,4V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1.43nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):7.5pF @ 10V

功率 - 最大值:800mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-SMD,無(wú)引線

供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH


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