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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NDBA180N10BT4H

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 180A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 2.8 毫歐 @ 50A，15V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 95nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 6950pF @ 50V

功率 - 最大值: 200W

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應(yīng)商器件封裝: *