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NGD8201ANT4G
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ON安森美半導體完整型號:NGD8201ANT4G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:IGBT 440V 20A 125W DPAK

系列:-

IGBT 類型:-

電壓 - 集射極擊穿(最大值):440V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):20A

Current - Collector Pulsed (Icm):50A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):1.9V @ 4.5V,20A

功率 - 最大值:125W

Switching Energy:-

輸入類型:邏輯

Gate Charge:-

25°C 時 Td(開/關(guān))值:-/5μs

Test Condition:300V,9A,1 千歐,5V

反向恢復(fù)時間 (trr):-

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

安裝類型:表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝:DPAK-3


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