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NGTB40N120IHRWG
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NGTB40N120IHRWG

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:IGBT 1200V 80A 384W TO247

系列:-

IGBT 類(lèi)型:溝道和場(chǎng)截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80A

Current - Collector Pulsed (Icm):120A

不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.55V @ 15V,40A

功率 - 最大值:384W

Switching Energy:950μJ (關(guān))

輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge:225nC

25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:-/230ns

Test Condition:600V, 40A, 10 歐姆, 15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-

封裝/外殼:TO-247-3

安裝類(lèi)型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-247


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