- 產(chǎn)品型號:NGTG35N65FL2WG
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:*
- 功能類別:IGBT - 單路
- 功能描述:IGBT 650V 60A 167W TO247
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供NGTG35N65FL2WG報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
NGTG35N65FL2WG >>> 安森美芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ON安森美公司NGTG35N65FL2WG報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購NGTG35N65FL2WG?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NGTG35N65FL2WG
制造廠家名稱: ON Semiconductor
功能總體簡述: IGBT 650V 60A 167W TO247
系列: -
IGBT 類型: 場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 70A
脈沖電流 - 集電極 (Icm): 120A
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 2V @ 15V,35A
功率 - 最大值: 300W
開關(guān)能量: 840μJ(開),280μJ(關(guān))
輸入類型: 標準
柵極電荷: 125nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值: 72ns/132ns
測試條件: 400V,35A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間(trr): -
封裝/外殼: *
安裝類型: *
供應(yīng)商器件封裝: *