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NGTG35N65FL2WG
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NGTG35N65FL2WG

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: IGBT 650V 60A 167W TO247

系列: -

IGBT 類型: 場截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650V

電流 - 集電極(Ic)(最大值): 70A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 120A

不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 2V @ 15V,35A

功率 - 最大值: 300W

開關(guān)能量: 840μJ(開),280μJ(關(guān))

輸入類型: 標準

柵極電荷: 125nC

25°C 時 Td(開/關(guān))值: 72ns/132ns

測試條件: 400V,35A,10 歐姆,15V

反向恢復(fù)時間(trr): -

封裝/外殼: *

安裝類型: *

供應(yīng)商器件封裝: *


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