- 產(chǎn)品型號(hào):NSVMUN5233DW1T3G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:*
- 功能類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
- 功能描述:TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
NSVMUN5233DW1T3G >>> 安森美芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ON安森美公司NSVMUN5233DW1T3G報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購NSVMUN5233DW1T3G?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): NSVMUN5233DW1T3G
制造廠家名稱: ON Semiconductor
功能總體簡(jiǎn)述: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
系列: -
晶體管類型: 2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V
電阻器 - 基底(R1)(歐姆): 4.7k
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆): 47k
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值): 250mV @ 1mA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值): 500nA
頻率 - 躍遷: -
功率 - 最大值: 250mW
安裝類型: *
封裝/外殼: *
供應(yīng)商器件封裝: *