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NTD4860N-1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NTD4860N-1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss):25V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):10.4A(Ta),65A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):16.5nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1308pF @ 12V

功率 - 最大值:1.28W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

供應(yīng)商器件封裝:I-Pak


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