- 產(chǎn)品型號:NTHD3101FT1G
- 制 造 商:ON(安森美半導體)
- 出廠封裝:ChipFET
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
深圳市諾森半導電子有限公司提供NTHD3101FT1G報價、現(xiàn)貨供應、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
NTHD3101FT1G >>> 安森美芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供ON安森美公司NTHD3101FT1G報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購NTHD3101FT1G?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
ON安森美半導體完整型號:NTHD3101FT1G
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
系列:-
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:二極管(隔離式)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.2A(Tj)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):80 毫歐 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):680pF @ 10V
功率 - 最大值:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商器件封裝:ChipFET