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NTHS2101PT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NTHS2101PT1G

制造廠家名稱(chēng):ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

系列:-

FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss):8V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):5.4A(Tj)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):25 毫歐 @ 5.4A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):30nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2400pF @ 6.4V

功率 - 最大值:1.3W

安裝類(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SMD,扁平引線(xiàn)

供應(yīng)商器件封裝:ChipFET


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