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NTJD5121NT2G
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ON安森美半導體完整型號:NTJD5121NT2G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

系列:-

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):295mA

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):0.9nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):26pF @ 20V

功率 - 最大值:250mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供應商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363


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