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NTMSD2P102LR2G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NTMSD2P102LR2G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

系列:FETKY?

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:二極管(隔離式)

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.3A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):90 毫歐 @ 2.4A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):18nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):750pF @ 16V

功率 - 最大值:710mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N


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