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NTMSD3P303R2G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NTMSD3P303R2G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

系列:FETKY?

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:二極管(隔離式)

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.34A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):85 毫歐 @ 3.05A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):750pF @ 24V

功率 - 最大值:730mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N


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