- 產(chǎn)品型號:NTQD6866R2G
- 制 造 商:ON(安森美半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-TSSOP
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NTQD6866R2G
制造廠家名稱:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
系列:-
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.7A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):32 毫歐 @ 6.9A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):22nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1400pF @ 16V
功率 - 最大值:940mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP