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NTQD6866R2G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NTQD6866R2G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP

系列:-

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.7A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):32 毫歐 @ 6.9A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):22nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1400pF @ 16V

功率 - 最大值:940mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP


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