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NVMFD5877NLWFT1G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NVMFD5877NLWFT1G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

系列:-

FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):39 毫歐 @ 7.5A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):20nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):540pF @ 25V

功率 - 最大值:3.2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) Dual Flag(SO8FL-Dual-Asymmetrical)


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