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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: BSM180D12P2C101

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

系列: -

FET 類型: 2 個 N 通道（半橋）

FET 功能: 碳化硅 （SiC）

漏源極電壓（Vdss）: 1200V（1.2kV）

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 180A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: -

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 35.2mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: -

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 23000pF @ 10V

功率 - 最大值: 1130W

安裝類型: *

封裝/外殼: 模塊

供應(yīng)商器件封裝: 模塊