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DTC115GUAT106
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ROHM羅姆半導體完整型號: DTC115GUAT106

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

系列: -

晶體管類型: NPN - 預偏壓

電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V

電阻器 - 基底(R1)(歐姆): -

電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆): 100k

不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 82 @ 5mA,5V

不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值): 300mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值): 500nA(ICBO)

頻率 - 躍遷: 250MHz

功率 - 最大值: 200mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SC-70,SOT-323

供應商器件封裝: UMT3


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