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EMD6T2R
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: EMD6T2R

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

系列: -

晶體管類型: 1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙)

電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值): 50V

電阻器 - 基底(R1)(歐姆): 4.7k

電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆): -

不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 100 @ 1mA,5V

不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值): 300mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值): -

頻率 - 躍遷: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-563,SOT-666

供應(yīng)商器件封裝: EMT6


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