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R6009ENJTL
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ROHM羅姆半導體完整型號: R6009ENJTL

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 9A LPT

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 9A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 535 毫歐 @ 2.8A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 23nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 430pF @ 25V

功率 - 最大值: 40W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SC-83

供應商器件封裝: LPTS(SC-83)


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