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RGTH00TS65DGC11
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ROHM羅姆半導體完整型號: RGTH00TS65DGC11

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: IGBT 650V 85A 277W TO-247N

系列: -

IGBT 類型: 溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650V

電流 - 集電極(Ic)(最大值): 85A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 200A

不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 2.1V @ 15V,50A

功率 - 最大值: 277W

開關(guān)能量: -

輸入類型: 標準

柵極電荷: 94nC

25°C 時 Td(開/關(guān))值: 39ns/143ns

測試條件: 400V,50A,10 歐姆,15V

反向恢復時間(trr): 54ns

封裝/外殼: TO-247-3

安裝類型: 通孔

供應(yīng)商器件封裝: TO-247N


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