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RSQ020N03TR
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): RSQ020N03TR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng)

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 2A(Ta)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 134 毫歐 @ 2A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 3.1nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 110pF @ 10V

功率 - 最大值: 1.25W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝: TSMT6


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