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RW1E015RPT2R
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): RW1E015RPT2R

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 1.5A(Ta)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 160 毫歐 @ 1.5A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 6.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 230pF @ 10V

功率 - 最大值: 400mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SOT-563,SOT-666

供應(yīng)商器件封裝: 6-WEMT


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