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ROHM羅姆半導體完整型號: SP8M4FU6TB

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

系列: -

FET 類型: N 和 P 溝道

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）: 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 9A，7A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 18 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 21nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1190pF @ 10V

功率 - 最大值: 2W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝: 8-SOIC