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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): VT6M1T2CR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

系列: -

FET 類型: N 和 P 溝道

FET 功能: 邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動(dòng)

漏源極電壓（Vdss）: 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 100mA

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）: 3.5 歐姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: -

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 7.1pF @ 10V

功率 - 最大值: 120mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝: VMT6