- 產(chǎn)品型號:HAT2165N-EL-E
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導體)
- 出廠封裝:8-LFPAK-iV
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
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Renesas瑞薩完整型號:HAT2165N-EL-E
制造廠家名稱:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):55A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 27.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):33nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5180pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供應商器件封裝:8-LFPAK-iV