- 產(chǎn)品型號(hào):HAT2279N-EL-E
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-LFPAK-iV
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
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Renesas瑞薩完整型號(hào):HAT2279N-EL-E
制造廠家名稱:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):30A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3520pF @ 10V
功率 - 最大值:25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供應(yīng)商器件封裝:8-LFPAK-iV