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HAT2279N-EL-E
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Renesas瑞薩完整型號(hào):HAT2279N-EL-E

制造廠家名稱:Renesas Electronics America

描述:MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):80V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):30A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 15A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3520pF @ 10V

功率 - 最大值:25W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)

供應(yīng)商器件封裝:8-LFPAK-iV


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