- 產(chǎn)品型號:NE552R679A-T1A-A
- 制 造 商:Renesas(瑞薩半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:4-SMD
- 功能類別:RF FET
- 功能描述:IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供NE552R679A-T1A-A報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
NE552R679A-T1A-A >>> 瑞薩芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供瑞薩公司NE552R679A-T1A-A報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購NE552R679A-T1A-A?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Renesas瑞薩完整型號: NE552R679A-T1A-A
制造廠家名稱: CEL (已被Renesas瑞薩收購)
功能總體簡述: IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG
系列: -
晶體管類型: LDMOS
電壓 - 集射極擊穿(最大值): -
頻率: 460MHz
增益: 20dB
頻率 - 躍遷: -
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值): -
電壓 - 測試: 3V
額定電流: 350mA
功率 - 最大值: -
噪聲系數(shù): -
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): -
電流 - 測試: 300mA
功率 - 輸出: 28dbm
電流 - 集電極(Ic)(最大值): -
安裝類型: -
電壓 - 額定: 3V
封裝/外殼: 4-SMD,扁平引線
供應(yīng)商器件封裝: