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Renesas瑞薩完整型號：NP110N04PDG-E1-AY

制造廠家名稱：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：110A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.8 毫歐 @ 55A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：390nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：25700pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：TO-263