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NP82N06MLG-S18-AY
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Renesas瑞薩完整型號:NP82N06MLG-S18-AY

制造廠家名稱:Renesas Electronics America

描述:MOSFET N-CH TO-220

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):82A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7.4 毫歐 @ 41A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):160nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):8550pF @ 25V

功率 - 最大值:1.8W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3


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