- 產(chǎn)品型號:PD57006STR-E
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:PowerSO-10RF
- 功能類別:RF場效應(yīng)管
- 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供PD57006STR-E報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
PD57006STR-E >>> ST芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ST公司PD57006STR-E報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購PD57006STR-E?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:PD57006STR-E
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
系列:-
晶體管類型:LDMOS
頻率:945MHz
增益:15dB
電壓 - 測試:28V
額定電流:1A
噪聲系數(shù):-
電流 - 測試:70mA
功率 - 輸出:6W
電壓 - 額定:65V
封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條直引線)
供應(yīng)商器件封裝:PowerSO-10RF(直引線)