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STB120N4F6
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ST意法半導體公司完整型號:STB120N4F6

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

系列:DeepGATE, STripFET VI

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4 毫歐 @ 40A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3850pF @ 25V

功率 - 最大值:110W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:D2PAK


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