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STB21NM60N-1
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STB21NM60N-1

制造廠家名稱(chēng):STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK

系列:MDmesh?

FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):17A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):220 毫歐 @ 8.5A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):66nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1900pF @ 50V

功率 - 最大值:140W

安裝類(lèi)型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝:I2PAK


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