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STB33N60M2
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STB33N60M2

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK

系列:MDmesh II Plus

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):26A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 13A, 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):45.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1781pF @ 100V

功率 - 最大值:190W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK


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