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STB60NE06L-16T4
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STB60NE06L-16T4

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

系列:STripFET? II

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):14 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):70nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4150pF @ 25V

功率 - 最大值:150W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK


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