- 產(chǎn)品型號(hào):STB8NM60T4
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:D2PAK
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STB8NM60T4
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
系列:MDmesh?
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1 歐姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:D2PAK