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STD120N4LF6
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STD120N4LF6

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

系列:DeepGATE, STripFET VI

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):4 毫歐 @ 40A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):80nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4300pF @ 25V

功率 - 最大值:110W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:D-Pak


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