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STD1HN60K3
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào): STD1HN60K3

制造廠家名稱: STMicroelectronics

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

系列: SuperMESH3?

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 1.2A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 8 歐姆 @ 600mA,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 9.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 140pF @ 50V

功率 - 最大值: 27W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝: DPAK


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