- 產(chǎn)品型號(hào):STFI260N6F6
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:I2PAKFP
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STFI260N6F6
制造廠家名稱:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
系列:DeepGATE, STripFET VI
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3 毫歐 @ 60A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):183nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):11400pF @ 25V
功率 - 最大值:41.7W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3 整包, I2Pak
供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP (281)