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STFI260N6F6
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STFI260N6F6

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP

系列:DeepGATE, STripFET VI

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3 毫歐 @ 60A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):183nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):11400pF @ 25V

功率 - 最大值:41.7W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3 整包, I2Pak

供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP (281)


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