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STH185N10F3-2
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號: STH185N10F3-2

制造廠家名稱: STMicroelectronics

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

系列: STripFET F3

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 100V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 180A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 4.5 毫歐 @ 60A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 114.6nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 6665pF @ 25V

功率 - 最大值: 315W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型

供應(yīng)商器件封裝: H2PAK


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