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STH275N8F7-6AG
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào): STH275N8F7-6AG

制造廠家名稱: STMicroelectronics

功能總體簡述: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

系列: 自動(dòng),AEC-Q101,STripFET F7

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 80V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 180A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 2.1 毫歐 @ 90A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 193nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 13600pF @ 50V

功率 - 最大值: 315W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片)

供應(yīng)商器件封裝: H2PAK-6


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