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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號：STL18NM60N

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

系列：MDmesh II

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2.1A（Ta），12A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：310 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：35nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 50V

功率 - 最大值：110W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-PowerFlat HV

供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat （8x8） HV