- 產(chǎn)品型號(hào):STL6N2VH5
- 制 造 商:ST(意法半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:PowerFlat
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STL6N2VH5
制造廠家名稱(chēng):STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT
系列:STripFET? V
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):-
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):30 毫歐 @ 3A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):6nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):550pF @ 16V
功率 - 最大值:2.4W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:6-PowerWDFN
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat (2x2)