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STP110N10F7
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STP110N10F7

制造廠家名稱(chēng):STMicroelectronics

描述:MOSFET N CH 100V 110A TO-220

系列:DeepGATE, STripFET VII

FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):110A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7 毫歐 @ 55A, 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5500pF @ 50V

功率 - 最大值:150W

安裝類(lèi)型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220


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