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STU11NM60ND
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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STU11NM60ND

制造廠家名稱:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK

系列:FDmesh? II

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):450 毫歐 @ 5A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):30nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):850pF @ 50V

功率 - 最大值:90W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-251-3 長(zhǎng)引線,IPak,TO-251AB

供應(yīng)商器件封裝:I-Pak


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