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TI德州儀器公司完整型號: CSD19536KTTT

制造廠家名稱: Texas Instruments

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 200A TO263

系列: NexFET?

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 200A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 2.4 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 3.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 153nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 12000pF @ 50V

功率 - 最大值: 375W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA

供應(yīng)商器件封裝: DDPAK/TO-263-3