- 產(chǎn)品型號(hào):CSD87333Q3DT
- 制 造 商:TI(德州儀器)
- 出廠封裝:8-SON
- 功能類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
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TI德州儀器公司完整型號(hào):CSD87333Q3DT
制造廠家名稱(chēng):Texas Instruments
描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
系列:NexFET?
FET 類(lèi)型:2 N 溝道(雙)非對(duì)稱(chēng)型
FET 功能:邏輯電平柵極,5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):15A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):14.3 毫歐 @ 4A, 8V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):4.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):662pF @ 15V
功率 - 最大值:6W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN
供應(yīng)商器件封裝:8-SON(3.3x3.3)